Kr Patent Spec Drafting

한국 특허 명세서 본문 작성. 청구항 초안 및 발명 자료를 입력받아 한국 특허청(KIPO) 출원 표준 구조에 따른 명세서 본문을 S1~S7 단계로 작성. 금지 표현("종래", "구성되는") 회피, 효과 3단 인과(구조→메커니즘→이점), 해결과제 목적형 기재(수단·시간축·연산 연상 차단) + 새 데이터 처리 파이프라인 별도 문단, S4 첫 문단 2문장 고정 형식(청구항 1항 원문 그대로 포함) + 다른 독립항·프로그램 청구항 도입 정형, S13 본문 9가지 절대 원칙(도면 단락 첫 문장 형식, "청구항 X"/"단계 SXXX" 직접 언급 금지, 서브도면 6관점 중 4개 이상, 구성요소 3관점 서술, 내부 작성 로직 노출 금지 등), S14 맺음말 2파트 정확한 정형 문구(효과 상위 2개 원문 인용 + 컴퓨터 판독 매체 정형·확장형 HDD/SSD/클라우드/제한해석금지 + 후속 문구)를 자동 적용. 마스터 프롬프트(역설계 [B]파트) 통합 — S1 명칭 수식어 제거, S3 마지막 통합 상위 과제, S4 핵심 데이터 처리 관점 압축, S5 발명자료 누락 전수 점검, S11 정형(개요 2문장·시스템 단일/분산 정의·용어 포괄 정의·AI 모델 실시 형태 필수 CNN/RNN/LSTM/Transformer 등+학습 데이터 구성·번호 매기기 금지), S12 추가 도면 설계·부재번호 의미 밴드 연계. S7 최종 점검 단계에서 청구항 키워드 일관성·도면부호·내부 로직 노출·프롬프트 2 검증 8+3 룰 자체 점검. ★ S1 착수 전 [S0] 기술분야 프로파일 판별 게이트로 분기 — G 프로파일(AI/SW/제어/시스템)은 references/sw-ai-spec-supplement.md(볼륨 강제 V1~V7, 실시예 4계층 L1~L4, 챕터 목차 골격, G1~G4 유형별 필수 서술, 승인 게이트, 미확보 자료 여백 처리), H 프로파일(기계·전기전자·화학)은 references/hw-mechanical-spec-rules.md(유형 A 단일/B 복수 실시형태 판별, 독립항 확정형 어미, 배경기술 한계 중심 서술, 도면 순차 참조

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